一種使用復(fù)合襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510041269.9 申請日 -
公開（公告）號 CN104638071B 公開（公告）日 2017-03-15
申請公布號 CN104638071B 申請公布日 2017-03-15
分類號 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;胡兵;李金權(quán);裴曉將;劉素娟 申請（專利權(quán)）人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
地址 213241 江蘇省常州市金壇區(qū)朱林鎮(zhèn)金西工業(yè)園龍溪大道99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種使用復(fù)合襯底的氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括復(fù)合襯底、一層以上的二維衍生膜及氮化物外延層；所述二維衍生膜位于所述復(fù)合襯底及所述氮化物外延層之間，且所述二維衍生膜附著在所述復(fù)合襯底上，所述氮化物外延層附著在所述二維衍生膜上；其中，所述復(fù)合襯底由導(dǎo)電襯底及附著在所述導(dǎo)電襯底上的功能金屬薄膜層組成。氮化物L(fēng)ED外延片的制作方法如下：首先，在導(dǎo)電襯底上制作功能金屬薄膜層，形成復(fù)合襯底；然后，在復(fù)合襯底上制作二維衍生膜；之后，進行氮化物外延層生長，依次生長：n型緩沖層、n型電子注入層、有源層和p型空穴注入層。使用本方案制備的LED外延片具有制作垂直結(jié)構(gòu)的大功率LED器件。