發(fā)光二極管、發(fā)光二極管模塊及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410566811.8 申請日 -
公開（公告）號 CN105895758A 公開（公告）日 2016-08-24
申請公布號 CN105895758A 申請公布日 2016-08-24
分類號 H01L33/06(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭德博;徐正毅 申請（專利權(quán)）人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 102206 北京市海淀區(qū)上地十街1號院2號樓17層1711室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管、發(fā)光二極管模塊及其制作方法。發(fā)光二極管包括：非摻雜層；依次形成在非摻雜層上的N型半導(dǎo)體層、量子阱發(fā)光層以及P型半導(dǎo)體層；開槽，從P型半導(dǎo)體層表面延伸到N型半導(dǎo)體層表面或延伸到N型半導(dǎo)體層中；P型歐姆接觸層，形成在開槽后剩余的P型半導(dǎo)體層上；絕緣介質(zhì)膜，形成在開槽的側(cè)壁和P型歐姆接觸層上；金屬層，形成在開槽底部的N型半導(dǎo)體部以及絕緣介質(zhì)膜上；支撐襯底，形成在金屬層上；第一盲孔和第二盲孔，第一盲孔從非摻雜層表面延伸到P型歐姆接觸層表面，第二盲孔從非摻雜層表面延伸到金屬層表面；P型及N型壓焊部，分別形成在露出的P型歐姆接觸層以及金屬層上。