一種氮化物L(fēng)ED垂直芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510041265.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104637794A 公開（公告）日 2015-05-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN104637794A 申請(qǐng)公布日 2015-05-20
分類號(hào) H01L21/203(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬亮;胡兵;李金權(quán);裴曉將;劉素娟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇巨晶新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京中科天順信息技術(shù)有限公司;江蘇巨晶新材料科技有限公司
地址 100085 北京市海淀區(qū)上地十街1號(hào)院2號(hào)樓17層1711室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種氮化物L(fēng)ED垂直芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括n型電極、氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)及p型電極；所述n型電極位于所述氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)的下方，且附著在所述氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)上，所述p型電極位于所述氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)的上方，且附著在所述氮化物L(fēng)ED外延片結(jié)構(gòu)上。在復(fù)合襯底上制作完二維衍生膜與氮化物外延層后，首先在復(fù)合襯底背面制作n型電極；然后，在氮化物外延層表面制作p型電極；最后，對(duì)LED器件晶圓進(jìn)行切割得到分離器件。使用本發(fā)明制備的氮化物L(fēng)ED垂直芯片具有適合大電流密度(≥100A/cm2)驅(qū)動(dòng)、高光功率密度輸出等優(yōu)點(diǎn)。