一種降低導(dǎo)通電阻的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110105602.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112951907A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN112951907A 申請(qǐng)公布日 2021-06-11
分類(lèi)號(hào) H01L29/739;H01L29/423;H01L21/329 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李釗君;田鴻昌;何曉寧;陳曉煒;弓小武 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安乾方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 胡思棉
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號(hào)5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種降低導(dǎo)通電阻的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及制備方法，包括N?漂移區(qū)，位于N?漂移區(qū)上面的Pbody、N+源區(qū)、P+接觸區(qū)，溝槽柵自Pbody區(qū)垂直深入至N?漂移區(qū)，在N?漂移區(qū)背面形成有P+集電區(qū)；在所述Pbody區(qū)與N?漂移區(qū)接觸面間引入有一層N型薄層空穴勢(shì)壘層；所述N型薄層空穴勢(shì)壘層的摻雜濃度高于N?漂移區(qū)的摻雜濃度且低于Pbody區(qū)摻雜濃度。本發(fā)明通過(guò)N型薄層空穴勢(shì)壘層的引入可以阻止集電極P+區(qū)內(nèi)的空穴進(jìn)入Pbody區(qū)，因而大量的空穴儲(chǔ)存在N?漂移區(qū)內(nèi)，增大了漂移區(qū)的非平衡載流子濃度，導(dǎo)致器件正向?qū)〞r(shí)N?漂移區(qū)電阻Rdrift降低，從而降低器件導(dǎo)通電阻。