一種可降低導通電阻并增加安全工作區(qū)的功率半導體器件制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010271995.0 申請日 -
公開（公告）號 CN111463132A 公開（公告）日 2020-07-28
申請公布號 CN111463132A 申請公布日 2020-07-28
分類號 H01L21/336(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 張弦;弓小武;田鴻昌;何曉寧;陳曉煒 申請（專利權）人 陜西半導體先導技術中心有限公司
代理機構 西安乾方知識產權代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 陜西半導體先導技術中心有限公司
地址 710000陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種可降低導通電阻并增加安全工作區(qū)的功率半導體器件制備方法，步驟如下：在由N緩沖層和N漂移區(qū)組成的N型半導體基片上通過離子注入制作N+補償注入區(qū)域；2)在N漂移區(qū)表面制作柵電極；3)用自對準工藝，以柵電極為掩蔽層，在N+補償注入區(qū)域表面進行P+離子注入并將其擴散至N+補償注入區(qū)域下方，形成P?body區(qū)、P+埋層、N+摻雜區(qū)；再依據常規(guī)工藝制作N+源區(qū)、P+接觸層、金屬電極及金屬引線。其優(yōu)點在于只增加一個光刻版及一次補償注入、推進工藝，同時引入P+埋層及N+摻雜區(qū)。同時增大器件的安全工作區(qū)，降低Racc區(qū)域電阻和總的導通電阻。??