一種可降低導(dǎo)通電阻并增加安全工作區(qū)的功率半導(dǎo)體器件制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010271995.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111463132A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-07-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111463132A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-28 |
| 分類號(hào) | H01L21/336(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張弦;弓小武;田鴻昌;何曉寧;陳曉煒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安乾方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司 |
| 地址 | 710000陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號(hào)5幢16層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種可降低導(dǎo)通電阻并增加安全工作區(qū)的功率半導(dǎo)體器件制備方法，步驟如下：在由N緩沖層和N漂移區(qū)組成的N型半導(dǎo)體基片上通過(guò)離子注入制作N+補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域；2)在N漂移區(qū)表面制作柵電極；3)用自對(duì)準(zhǔn)工藝，以柵電極為掩蔽層，在N+補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域表面進(jìn)行P+離子注入并將其擴(kuò)散至N+補(bǔ)償注入?yún)^(qū)域下方，形成P?body區(qū)、P+埋層、N+摻雜區(qū)；再依據(jù)常規(guī)工藝制作N+源區(qū)、P+接觸層、金屬電極及金屬引線。其優(yōu)點(diǎn)在于只增加一個(gè)光刻版及一次補(bǔ)償注入、推進(jìn)工藝，同時(shí)引入P+埋層及N+摻雜區(qū)。同時(shí)增大器件的安全工作區(qū)，降低Racc區(qū)域電阻和總的導(dǎo)通電阻。?? |
