一種具有低相對介電常數(shù)埋層的縱向高壓功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010398404.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111554748A 公開（公告）日 2020-08-18
申請公布號 CN111554748A 申請公布日 2020-08-18
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 張弦;弓小武;田力;何曉寧;陳曉煒;田鴻昌 申請（專利權(quán)）人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
代理機構(gòu) 西安乾方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710077陜西省西安市雁塔區(qū)丈八四路20號神州數(shù)碼科技園5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有低相對介電常數(shù)埋層的縱向高壓功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括N漂移區(qū)、P基區(qū)及N+源區(qū)，在P基區(qū)及N+源區(qū)的外圍的溝槽內(nèi)沉積有柵極氧化層，在柵極氧化層上沉積有柵極導(dǎo)電介質(zhì)層，其特征在于在所述柵極氧化層下面的N+漂移區(qū)內(nèi)增加有絕緣層；所述絕緣層材質(zhì)為相對介電常數(shù)小于柵極氧化層的絕緣材料；所述器件材料為Si、SiC或GaN。通過在溝槽下面增加一定厚度的絕緣層，可以調(diào)整柵漏之間的電場分布，從而改變器件內(nèi)部區(qū)域的電場分布，也改善了器件耐壓，此時器件內(nèi)的電場分布不再僅受限于材料的摻雜濃度。??