便于結(jié)溫檢測(cè)的功率半導(dǎo)體器件及其結(jié)溫測(cè)量方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110126966.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112946450A 公開（公告）日 2021-06-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN112946450A 申請(qǐng)公布日 2021-06-11
分類號(hào) G01R31/26;H01L23/34 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 田鴻昌;張弦;何曉寧;陳曉煒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安乾方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 胡思棉
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號(hào)5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種便于結(jié)溫檢測(cè)的功率半導(dǎo)體器件及其結(jié)溫檢測(cè)方法，所述功率半導(dǎo)體器件為IGBT器件或MOSFET器件，所述半導(dǎo)體器件包括至少兩個(gè)單胞單元，其中至少一個(gè)單胞單元為結(jié)溫監(jiān)測(cè)單元，其他單胞單元與IGBT器件或MOSFET器件的結(jié)構(gòu)完全相同；所述結(jié)溫監(jiān)測(cè)單元與IGBT器件或MOSFET器件的結(jié)構(gòu)區(qū)別在于在P+接觸區(qū)的表面金屬化形成陽(yáng)極，在N+源區(qū)表面金屬化形成陰極。將結(jié)溫監(jiān)測(cè)單元直接制造集成在功率半導(dǎo)體芯片中，能夠?qū)崟r(shí)直接測(cè)量獲得功率半導(dǎo)體器件結(jié)溫?cái)?shù)值，獲得實(shí)時(shí)準(zhǔn)確數(shù)值。