一種提高半導(dǎo)體器件臺(tái)面耐壓結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202023265017.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN213692060U | 公開（公告）日 | 2021-07-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN213692060U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-13 |
| 分類號(hào) | H01L29/06（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張弦;田鴻昌;何曉寧;陳曉煒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安乾方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 胡思棉 |
| 地址 | 710077陜西省西安市雁塔區(qū)丈八四路20號(hào)神州數(shù)碼科技園5幢16層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種提高半導(dǎo)體器件臺(tái)面耐壓結(jié)構(gòu)，包括形成PN結(jié)的至少一個(gè)P區(qū)和一個(gè)N區(qū)；在P區(qū)和N區(qū)的側(cè)面為臺(tái)面區(qū)域，在所述臺(tái)面區(qū)域沉積有一層絕緣層，在所述絕緣層局部區(qū)域上沉積有一層高介電常數(shù)材料層，在所述高介電常數(shù)材料層和絕緣層上設(shè)置有保護(hù)層；所述高介電常數(shù)材料層覆蓋臺(tái)面處電場(chǎng)峰值區(qū)域。本發(fā)明的有益效果：首先，可以有效改善臺(tái)面區(qū)的電場(chǎng)分布，降低臺(tái)面區(qū)的電場(chǎng)峰值；其次，引入高介電常數(shù)層，可以彌補(bǔ)臺(tái)面磨角工藝誤差引入的不利影響，保證器件的成品率，提升器件可靠性。 |
