一種降低導(dǎo)通電阻和增加安全工作區(qū)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202020505108.7 申請日 -
公開（公告）號 CN211629116U 公開（公告）日 2020-10-02
申請公布號 CN211629116U 申請公布日 2020-10-02
分類號 H01L29/739(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 弓小武;張弦;田鴻昌;何曉寧;陳曉煒 申請（專利權(quán)）人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安乾方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710000陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種降低導(dǎo)通電阻和增加安全工作區(qū)的功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括N漂移區(qū)，在N漂移區(qū)內(nèi)設(shè)置的P?body區(qū)，在P?body區(qū)內(nèi)的表面設(shè)置有P+接觸層，在P?body區(qū)內(nèi)P+接觸層外圍設(shè)置有N+源區(qū)，其特征在于在P+接觸層下方的P?body區(qū)內(nèi)設(shè)置有收集雜散電流的P+埋層；在P?body區(qū)外圍的N漂移區(qū)表面設(shè)置有N+摻雜區(qū)；P+埋層的濃度要求比所在區(qū)域的P?body摻雜濃度要高1?5個量級；N+摻雜區(qū)的濃度應(yīng)低于P?body區(qū)的濃度，且高于N漂移區(qū)的濃度。其優(yōu)點(diǎn)在于可降低導(dǎo)通電阻，增加器件工作安全區(qū)。??