一種碳化硅倒T形掩蔽層結(jié)構(gòu)的MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920793260.7 申請日 -
公開（公告）號 CN210379054U 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN210379054U 申請公布日 2020-04-21
分類號 H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋慶文;張玉明;白瑞杰;湯曉燕;袁昊;何艷靜;何曉寧;韓超 申請（專利權(quán)）人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種碳化硅倒T形掩蔽層結(jié)構(gòu)的MOSFET器件，該MOSFET器件包括：柵介質(zhì)層；基區(qū)，位于所述柵介質(zhì)層的兩側(cè)；掩蔽層，位于所述柵介質(zhì)層的下表面；漂移層，位于所述基區(qū)和所述掩蔽層的下表面；襯底層，位于所述漂移層的下表面；漏極，位于所述襯底層的表面；多晶硅層，位于所述柵介質(zhì)層的內(nèi)表面；柵極，位于所述多晶硅層的上表面。第一源區(qū)，位于所述基區(qū)的部分區(qū)域的上表面；第二源區(qū)，位于所述基區(qū)的其余區(qū)域的上表面；源極，位于所述第一源區(qū)和所述第二源區(qū)的上表面。本實用新型的這種MOSFET器件，通過槽柵底部的P+型掩蔽層，改變了柵介質(zhì)層拐角處的電場分布，降低了器件拐角處的電場集中，提高了器件的擊穿電壓，提高器件的可靠性。