一種具有L型掩蔽層結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201920793325.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN209981224U | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-01-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN209981224U | 申請(qǐng)公布日 | 2020-01-21 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 宋慶文;張玉明;白瑞杰;湯曉燕;袁昊;何艷靜;何曉寧;韓超 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司 |
| 地址 | 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號(hào)5幢16層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種具有L型掩蔽層結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件，包括從下至上依次設(shè)置的漏電極、N型摻雜襯底層、N型漂移區(qū)和P型基區(qū)，其中，所述P型基區(qū)上設(shè)置有P型源區(qū)和N型源區(qū)；所述P型基區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有槽柵結(jié)構(gòu)，所述槽柵結(jié)構(gòu)的底部延伸至所述N型漂移區(qū)的內(nèi)部，所述槽柵結(jié)構(gòu)的頂部延伸出所述P型基區(qū)的上表面；所述槽柵結(jié)構(gòu)底部的拐角處設(shè)置有掩蔽層結(jié)構(gòu)，所述掩蔽層結(jié)構(gòu)對(duì)所述槽柵結(jié)構(gòu)底部的拐角呈包裹狀，且未與所述P型基區(qū)的下表面接觸；所述P型源區(qū)和所述N型源區(qū)上設(shè)置有源電極；所述槽柵結(jié)構(gòu)上設(shè)置有柵電極。本實(shí)用新型的碳化硅MOSFET器件，在槽柵結(jié)構(gòu)底部設(shè)置了掩蔽層結(jié)構(gòu)，提高了器件的擊穿電壓。 |
