一種具有L型掩蔽層結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920793325.8 申請日 -
公開（公告）號 CN209981224U 公開（公告）日 2020-01-21
申請公布號 CN209981224U 申請公布日 2020-01-21
分類號 H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 宋慶文;張玉明;白瑞杰;湯曉燕;袁昊;何艷靜;何曉寧;韓超 申請（專利權(quán)）人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦丈八四路20號5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種具有L型掩蔽層結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件，包括從下至上依次設(shè)置的漏電極、N型摻雜襯底層、N型漂移區(qū)和P型基區(qū)，其中，所述P型基區(qū)上設(shè)置有P型源區(qū)和N型源區(qū)；所述P型基區(qū)的內(nèi)部設(shè)置有槽柵結(jié)構(gòu)，所述槽柵結(jié)構(gòu)的底部延伸至所述N型漂移區(qū)的內(nèi)部，所述槽柵結(jié)構(gòu)的頂部延伸出所述P型基區(qū)的上表面；所述槽柵結(jié)構(gòu)底部的拐角處設(shè)置有掩蔽層結(jié)構(gòu)，所述掩蔽層結(jié)構(gòu)對所述槽柵結(jié)構(gòu)底部的拐角呈包裹狀，且未與所述P型基區(qū)的下表面接觸；所述P型源區(qū)和所述N型源區(qū)上設(shè)置有源電極；所述槽柵結(jié)構(gòu)上設(shè)置有柵電極。本實(shí)用新型的碳化硅MOSFET器件，在槽柵結(jié)構(gòu)底部設(shè)置了掩蔽層結(jié)構(gòu)，提高了器件的擊穿電壓。