一種提高半導(dǎo)體器件臺面耐壓結(jié)構(gòu)及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011603186.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112635550A 公開（公告）日 2021-04-09
申請公布號 CN112635550A 申請公布日 2021-04-09
分類號 H01L29/06 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張弦;田鴻昌;何曉寧;陳曉煒 申請（專利權(quán)）人 陜西半導(dǎo)體先導(dǎo)技術(shù)中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安乾方知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 胡思棉
地址 710077 陜西省西安市雁塔區(qū)丈八四路20號神州數(shù)碼科技園5幢16層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種提高半導(dǎo)體器件臺面耐壓結(jié)構(gòu)及制備方法，包括形成PN結(jié)的至少一個P區(qū)和一個N區(qū)；在P區(qū)和N區(qū)的側(cè)面為臺面區(qū)域，在所述臺面區(qū)域沉積有一層絕緣層，在所述絕緣層局部區(qū)域上沉積有一層高介電常數(shù)材料層，在所述高介電常數(shù)材料層和絕緣層上設(shè)置有保護(hù)層；所述高介電常數(shù)材料層覆蓋臺面處電場峰值區(qū)域。本發(fā)明的有益效果：首先，可以有效改善臺面區(qū)的電場分布，降低臺面區(qū)的電場峰值；其次，引入高介電常數(shù)層，可以彌補(bǔ)臺面磨角工藝誤差引入的不利影響，保證器件的成品率，提升器件可靠性。