一種跨電壓域可選內(nèi)置上拉電阻復(fù)用系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911263777.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110932716A 公開（公告）日 2020-03-27
申請公布號 CN110932716A 申請公布日 2020-03-27
分類號 H03K19/0185 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 王磊;王東旭 申請（專利權(quán)）人 觀淮（淮安）微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 觀淮（淮安）微電子有限公司
地址 200120 上海市浦東新區(qū)張東路1761號4-712
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種跨電壓域可選內(nèi)置上拉電阻復(fù)用系統(tǒng)，包括SCL/SDA接口、第一上拉電阻、第二上拉電阻、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管和三個邏輯保持模塊。兩個上拉電阻的一端分別與SCL/SDA接口的兩端相連，另一端分別經(jīng)由第一和第二PMOS晶體管連接至選擇電壓；第一邏輯保持模塊與選擇電壓相連，第二和第三邏輯保持模塊分別與SCL/SDA接口的兩端相連；每一邏輯保持模塊包括塊內(nèi)NMOS晶體管、塊內(nèi)PMOS晶體管和塊內(nèi)反相器；塊內(nèi)NMOS晶體管用作傳輸門且柵極接偏置電壓，塊內(nèi)PMOS晶體管和塊內(nèi)反相器起高電平鎖存作用。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)可選內(nèi)置上拉電阻復(fù)用，且能有效防止不同電壓域的芯片之間進(jìn)行通信時的電壓反灌問題，同時避免了電源到地的漏電流。