一種跨電壓域可選內(nèi)置上拉電阻復(fù)用系統(tǒng)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201922202947.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211296707U | 公開（公告）日 | 2020-08-18 |
| 申請公布號 | CN211296707U | 申請公布日 | 2020-08-18 |
| 分類號 | H03K19/0185(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 王磊;王東旭 | 申請（專利權(quán)）人 | 觀淮（淮安）微電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 南京蘇高專利商標事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 觀淮（淮安）微電子有限公司 |
| 地址 | 200120上海市浦東新區(qū)張東路1761號4-712 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型涉及一種跨電壓域可選內(nèi)置上拉電阻復(fù)用系統(tǒng)，包括SCL/SDA接口、第一上拉電阻、第二上拉電阻、第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管和三個邏輯保持模塊。兩個上拉電阻的一端分別與SCL/SDA接口的兩端相連，另一端分別經(jīng)由第一和第二PMOS晶體管連接至選擇電壓；第一邏輯保持模塊與選擇電壓相連，第二和第三邏輯保持模塊分別與SCL/SDA接口的兩端相連；每一邏輯保持模塊包括塊內(nèi)NMOS晶體管、塊內(nèi)PMOS晶體管和塊內(nèi)反相器；塊內(nèi)NMOS晶體管用作傳輸門且柵極接偏置電壓，塊內(nèi)PMOS晶體管和塊內(nèi)反相器起高電平鎖存作用。本實用新型能夠?qū)崿F(xiàn)可選內(nèi)置上拉電阻復(fù)用，且能有效防止不同電壓域的芯片之間進行通信時的電壓反灌問題，同時避免了電源到地的漏電流。?? |
