空間光高能量密度半導體激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202023284867.4 申請日 -
公開（公告）號 CN213782476U 公開（公告）日 2021-07-23
申請公布號 CN213782476U 申請公布日 2021-07-23
分類號 H01S5/023（2021.01）I;H01S5/024（2006.01）I;H01S5/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 芮建保;劉彬;潘昊;韋春雷 申請（專利權）人 無錫亮源激光技術有限公司
代理機構 蘇州三英知識產權代理有限公司 代理人 周仁青
地址 214192江蘇省無錫市錫山經濟開發(fā)區(qū)芙蓉中三路99號錫山科創(chuàng)園瑞云四座7樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型揭示了一種空間光高能量密度半導體激光器，包括熱沉、安裝于熱沉內的電路板、多個安裝于熱沉內的光源模塊，光源模塊包括基板以及安裝于基板上的多個發(fā)光單元，發(fā)光單元與電路板電連接，光源模塊呈陣列分布設置，發(fā)光單元呈并排設置，發(fā)光單元的發(fā)光面朝向同一方向，各發(fā)光單元用于輸出在遠場方向相互重疊的光束。本實用新型中的空間光高能量密度半導體激光器體積小，功率密度高，發(fā)光效率高，穿透性極強。