一種內(nèi)嵌碳量子點(diǎn)的g-C3N復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811556758.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN109554176A | 公開(公告)日 | 2019-04-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN109554176A | 申請(qǐng)公布日 | 2019-04-02 |
分類號(hào) | C09K11/65(2006.01)I; B01J27/24(2006.01)I; C01B3/04(2006.01)I | 分類 | 一般的物理或化學(xué)的方法或裝置; |
發(fā)明人 | 江俊; 羅毅; 王翕君; 李鑫; 謝李燕; 楊麗 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 合肥機(jī)數(shù)量子科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 合肥超通知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 合肥機(jī)數(shù)科技有限公司 |
地址 | 230000 安徽省合肥市金寨路96號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于復(fù)合材料領(lǐng)域,尤其涉及一種內(nèi)嵌碳量子點(diǎn)的g?C3N復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用。本發(fā)明提供的內(nèi)嵌碳量子點(diǎn)的g?C3N復(fù)合材料包括單層二維材料g?C3N和通過范德華力結(jié)合到所述單層二維材料g?C3N一側(cè)的碳量子點(diǎn)。本發(fā)明提供的復(fù)合材料在太陽能的紫外、可見及部分近紅外光范圍內(nèi)具有良好的光吸收能力,可高效的收集太陽能量,因此該復(fù)合材料適用于光催化領(lǐng)域。另一方面,利用g?C3N高效的選擇穿透性,本發(fā)明提供的復(fù)合材料允許質(zhì)子穿透g?C3N參與反應(yīng)產(chǎn)生氫氣,而產(chǎn)生的氫氣不能穿透g?C3N逃逸,同時(shí)g?C3N阻隔了OH和O2等進(jìn)入體系,抑制了逆反應(yīng)發(fā)生,可實(shí)現(xiàn)氫氣的有效提純和安全存儲(chǔ),因此該復(fù)合材料也適用于儲(chǔ)氫領(lǐng)域。 |
