一種配比可控的大面積高通量復(fù)合薄膜合成裝置及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811573846.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109355621A 公開（公告）日 2019-02-19
申請公布號 CN109355621A 申請公布日 2019-02-19
分類號 C23C14/04;C23C14/28;C23C14/50;C23C14/54 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張曉軍 申請（專利權(quán)）人 深圳市矩陣新材料科技有限公司
代理機構(gòu) 佛山市海融科創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳志超;閆慧丹
地址 518057 廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道朗山路28號通產(chǎn)新材料產(chǎn)業(yè)園2棟1樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種配比可控的大面積高通量復(fù)合薄膜合成裝置和方法，其中，所述合成裝置中設(shè)置了可移動的基片架，并在基片架和靶材之間設(shè)置了用于遮擋掩膜部分區(qū)域的擋板，在合成薄膜的過程中，利用擋板掩蓋部分掩膜孔并移動基片架，調(diào)整基片架與靶材的相對位置和移動速度，從而調(diào)整輝羽中心在每個掩膜孔中停留的時間，不僅可以控制每個掩膜孔對應(yīng)復(fù)合薄膜樣品的厚度，克服了高通量PLD鍍膜不均勻的缺陷，還可以通過控制每個掩膜孔在沉積不同材料時，輝羽中心停留的時間比，調(diào)整每個掩膜孔對應(yīng)的基片樣品中沉積的不同材料之間的配比，從而實現(xiàn)配比可控。