一種配比可控的大面積高通量復(fù)合薄膜合成裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201822157390.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN209194035U 公開(kāi)（公告）日 2019-08-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN209194035U 申請(qǐng)公布日 2019-08-02
分類號(hào) C23C14/04（2006.01）I; C23C14/28（2006.01）I; C23C14/50（2006.01）I; C23C14/54（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張曉軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市矩陣新材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 佛山市海融科創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳志超
地址 518057 廣東省深圳市福田區(qū)福田街道圩鎮(zhèn)社區(qū)福田路24號(hào)海岸環(huán)慶大廈24層2401Ⅰ
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種配比可控的大面積高通量復(fù)合薄膜合成裝置，本裝置中設(shè)置了可移動(dòng)的基片架，并在基片架和靶材之間設(shè)置了用于遮擋掩膜部分區(qū)域的擋板，在合成薄膜的過(guò)程中，利用擋板掩蓋部分掩膜孔并移動(dòng)基片架，調(diào)整基片架與靶材的相對(duì)位置和移動(dòng)速度，從而調(diào)整輝羽中心在每個(gè)掩膜孔中停留的時(shí)間，不僅可以控制每個(gè)掩膜孔對(duì)應(yīng)復(fù)合薄膜樣品的厚度，克服了高通量PLD鍍膜不均勻的缺陷，還可以通過(guò)控制每個(gè)掩膜孔在沉積不同材料時(shí)，輝羽中心停留的時(shí)間比，調(diào)整每個(gè)掩膜孔對(duì)應(yīng)的基片樣品中沉積的不同材料之間的配比，從而實(shí)現(xiàn)配比可控。