一種薄膜沉積工藝控制系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811600866.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109881163A 公開（公告）日 2019-06-14
申請公布號 CN109881163A 申請公布日 2019-06-14
分類號 C23C14/34（2006.01）I; C23C14/54（2006.01）I 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張曉軍 申請（專利權）人 深圳市矩陣新材料科技有限公司
代理機構 深圳市華優(yōu)知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 余薇
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新南四到10號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及薄膜制造技術領域，尤其涉及一種薄膜沉積工藝控制系統(tǒng)及方法，用于薄膜沉積裝置對薄膜沉積速率進行測試以及工藝控制，所述薄膜沉積裝置包括激光器、真空腔，靶材模塊以及基片加熱組件，所述測試系統(tǒng)包括：厚度測試模塊以及與所述厚度測試模塊信號連接的計算機設備；所述厚度測試模塊包括設置在所述真空腔內的晶振測試組件以及與所述晶振測試組件傳動連接的水平驅動裝置，所述水平驅動裝置用于驅動所述晶振測試組件在所述真空腔內預設的測試網格中水平移動，所述晶振測試組件用于測試每個網格點的薄膜生長厚度，所述測試網格位于薄膜生長平面上。本發(fā)明能提高薄膜生長效率，使得大面積薄膜沉積的可控性和重復性提供保障。