半導(dǎo)體芯片的制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201610897956.5 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN106373869A 公開（公告）日 2017-02-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN106373869A 申請(qǐng)公布日 2017-02-01
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 湯英文 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇達(dá)安光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 閩南師范大學(xué);江蘇達(dá)安光電有限公司
地址 363000 福建省漳州市薌城區(qū)縣前直街36號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的制造方法，包括：在復(fù)合襯底上生長(zhǎng)有結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體薄膜，得到結(jié)構(gòu)I；將半導(dǎo)體薄膜進(jìn)行光刻，定義出圖形后刻蝕，刻蝕到腐蝕層，去掉光刻膠，清洗，依次形成反射歐姆接觸層、阻擋保護(hù)層，鍵合層，得到結(jié)構(gòu)II；將結(jié)構(gòu)II的鍵合層通過邦定壓焊、電鍍、或者兩者混合的方式轉(zhuǎn)移到導(dǎo)電襯底的粘結(jié)層上，得到結(jié)構(gòu)III；將結(jié)構(gòu)III放入腐蝕液中腐蝕掉腐蝕層，得到結(jié)構(gòu)V；將結(jié)構(gòu)V進(jìn)行粗化，去邊、鈍化，得到鈍化層，去掉要做電極地方的鈍化層，做上N電極，得到成品。本發(fā)明降低了與外延襯底的晶格及熱應(yīng)力失配大的半導(dǎo)體薄膜在其上生長(zhǎng)難度，簡(jiǎn)化芯片制造過程,降低芯片制造成本。