一種短波紫外發(fā)光芯片的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711172867.5 申請日 -
公開（公告）號 CN107910415A 公開（公告）日 2018-04-13
申請公布號 CN107910415A 申請公布日 2018-04-13
分類號 H01L33/00;H01L33/20 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 湯英文 申請（專利權）人 江蘇達安光電有限公司
代理機構 北京輕創(chuàng)知識產權代理有限公司 代理人 閩南師范大學;江蘇達安光電有限公司
地址 363000 福建省漳州市薌城區(qū)縣前直街36號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種短波紫外發(fā)光芯片的制造方法，復合襯底包括：PSS及在PSS上生長的經過拋光處理的結晶層AlN，AlN拋光處理過程是將PSS上的不平整的AlN連同PSS的蒙古包尖端的藍寶石被拋光成鏡面，再在鏡面用濺射等方法生長一層AlN；將生長在復合襯底上的紫外LED器件結構的半導體薄膜進行光刻，定義出芯片圖形后刻蝕，刻蝕到本征層AlGaInN或者刻蝕到襯底，在芯片圖形上刻蝕形成若干N電極孔，在P型層上形成具有反射作用又起歐姆接觸的P電極金屬、在N電極孔形成N電極，在P電極反射歐姆接觸層上形成阻擋保護層，生長絕緣層，然后光刻后腐蝕絕緣層開孔，加厚N電極和P電極得到倒裝結構芯片；本發(fā)明的有益效果是提高材料的晶體質量，又可以提高出光效率。