一種集成式隔離封裝的壓力傳感器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111314694.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN114001846A 公開(kāi)（公告）日 2022-02-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN114001846A 申請(qǐng)公布日 2022-02-01
分類號(hào) G01L1/14（2006.01）I;G01L9/12（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 王剛;劉磊;徐改 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 麥克傳感器股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 李鵬威
地址 721006陜西省寶雞市高新開(kāi)發(fā)區(qū)英達(dá)路18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于壓力傳感器領(lǐng)域，公開(kāi)了集成式隔離封裝的壓力傳感器，包括燒結(jié)基座；燒結(jié)基座一端上設(shè)置壓圈，壓圈與燒結(jié)基座之間設(shè)置隔離膜片；燒結(jié)基座另一端上設(shè)置基板，基板上設(shè)置補(bǔ)償電路，補(bǔ)償電路與燒結(jié)基座的管腳連接；基板與燒結(jié)基座之間設(shè)置塑料墊圈；燒結(jié)基座內(nèi)設(shè)置陶瓷厚膜電路基底，陶瓷厚膜電路基底上設(shè)置連接電路、MEMS硅電容壓力芯片和ASIC信號(hào)處理芯片；MEMS硅電容壓力芯片通過(guò)連接電路與ASIC信號(hào)處理芯片連接，ASIC信號(hào)處理芯片通過(guò)連接電路與燒結(jié)基座的管腳連接；燒結(jié)基座一端上開(kāi)設(shè)硅油灌注孔，硅油灌注孔內(nèi)設(shè)置密封件，燒結(jié)基座內(nèi)填充硅油?？梢詫?shí)現(xiàn)在更小尺寸下獲得更高的靈敏度和測(cè)量精度，對(duì)熱效應(yīng)較不敏感，可承受超過(guò)更大的過(guò)壓。