一種采用單一燒結(jié)助劑常壓燒結(jié)制備致密氮化硅陶瓷的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201711001865.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109694254A 公開(kāi)（公告）日 2019-04-30
申請(qǐng)公布號(hào) CN109694254A 申請(qǐng)公布日 2019-04-30
分類號(hào) C04B35/584（2006.01）I; C04B35/622（2006.01）I; C04B35/64（2006.01）I 分類 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
發(fā)明人 張景賢; 段于森; 李曉光 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 浙江多面體新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所（普通合伙） 代理人 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所;浙江多面體新材料有限公司
地址 200050 上海市長(zhǎng)寧區(qū)定西路1295號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種采用單一燒結(jié)助劑常壓燒結(jié)制備致密氮化硅陶瓷的方法，包括：以總配料質(zhì)量100%計(jì)，將氮化硅粉體95～70%、燒結(jié)助劑5～30%均勻混合，得到混合粉體，所述燒結(jié)助劑為MgTiO3、Mg2TiO4和MgTi2O5中的一種；將所得的混合粉體成型，得到陶瓷素坯；將所得的陶瓷素坯置于燒結(jié)爐中在1600～1800℃的溫度條件下常壓燒結(jié)，得到致密氮化硅陶瓷。該燒結(jié)助劑有利于獲得更加均勻的顯微結(jié)構(gòu)，使得TiN彌散分布在氮化硅基體中，從而進(jìn)一步提高了材料的力學(xué)性能。