一種全背電極太陽能電池的生產(chǎn)工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610046118.7 申請日 -
公開（公告）號 CN105489710B 公開（公告）日 2018-05-29
申請公布號 CN105489710B 申請公布日 2018-05-29
分類號 H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224;H01B1/22 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李運鈞;朱航;楊蔚;曾國平;楊墨熹;李昕 申請（專利權(quán)）人 四川銀河星源科技有限公司
代理機構(gòu) 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 四川銀河星源科技有限公司
地址 622650 四川省綿陽市安縣工業(yè)園區(qū)(花荄鎮(zhèn))
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種全背電極太陽能電池的生產(chǎn)工藝，包括：(1)在n型硅襯底硅片背面形成具有指狀交叉排列的背面n+擴散層區(qū)域、背面p+擴散層區(qū)域；在n型硅襯底硅片前表面形成前表面n+擴散層；(2)將n型硅襯底硅片進行退火氧化處理形成氧化層；(3)在n型硅襯底硅片的前表面和背面沉積鈍化層；在前表面鈍化層上沉積增反層；(4)將導(dǎo)電漿料印刷在背面鈍化層上，燒結(jié)后，分別在背面p+擴散層區(qū)域和背面n+擴散層區(qū)域上形成接觸電極，完成全背電極太陽能電池的制造。本發(fā)明將單一導(dǎo)電漿料同時印刷在背面p+擴散層和n+擴散層上的鈍化層上，燒結(jié)后在p+擴散層和n+擴散層上形成低接觸電阻的指狀交叉導(dǎo)電電極，簡化了IBC電池的生產(chǎn)工藝，降低了IBC電池的生產(chǎn)成本。