一種晶體硅太陽能電池的制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201510397471.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN104966761A | 公開(公告)日 | 2017-04-05 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN104966761A | 申請(qǐng)公布日 | 2017-04-05 |
分類號(hào) | H01L31/18 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李運(yùn)鈞;尹天平;曾國(guó)平;楊墨熹;李昕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 四川銀河星源科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京遠(yuǎn)大卓悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 周慶佳 |
地址 | 622650 四川省綿陽市安縣工業(yè)園區(qū)(花荄鎮(zhèn)) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的制造方法,包括:將硅片清洗后進(jìn)行表面處理得到凹凸的絨面;然后采用擴(kuò)散法在硅片上形成PN結(jié);接著對(duì)形成PN結(jié)的硅片周邊刻蝕去除多余擴(kuò)散層,然后在硅片正面和背面分別沉積膜體,并用刻蝕方法刻蝕掉局部膜體,使膜體上形成均勻的露出硅片的點(diǎn)狀或條狀結(jié)構(gòu);最后在硅片正面和背面分別印刷正面導(dǎo)電漿料和背面導(dǎo)電漿料;然后燒結(jié)得到太陽能電池。本發(fā)明在太陽能電池的膜體上采用刻蝕方法,刻蝕掉局部膜體,然后在局部刻蝕的膜體上印刷非燒穿導(dǎo)電漿料,實(shí)現(xiàn)局部金屬與硅直接電接觸,而保留盡量多的膜體在導(dǎo)電漿料高溫?zé)Y(jié)時(shí)不被破壞,可增加太陽能電池的開路電壓,減小接觸電阻,從而提高太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率。 |
