降低基區(qū)電阻率的GaN基HBT外延結(jié)構(gòu)及生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510309494.6 申請日 -
公開（公告）號 CN104900689A 公開（公告）日 2015-09-09
申請公布號 CN104900689A 申請公布日 2015-09-09
分類號 H01L29/737(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/20(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張連;張韻;王軍喜;李晉閩 申請（專利權(quán)）人 麗水中科半導體材料研究中心有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 中國科學院半導體研究所;麗水中科半導體材料研究中心有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種降低基區(qū)電阻率的GaN基HBT外延結(jié)構(gòu)及生長方法，其中降低基區(qū)電阻率的GaN基HBT外延結(jié)構(gòu)，其包括：一襯底；一n型集電區(qū)，其制作在襯底上；一p型組分漸變基區(qū)，其制作在n型集電區(qū)上；一n型發(fā)射區(qū)，其制作在p型基區(qū)上。本發(fā)明通過特殊的結(jié)構(gòu)設計，使基區(qū)電阻率大大降低，從而提高器件性能。