一種具有極化誘導(dǎo)摻雜高阻層的GaN基HEMT結(jié)構(gòu)及生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410505205.5 申請日 -
公開（公告）號 CN104241352B 公開（公告）日 2018-10-02
申請公布號 CN104241352B 申請公布日 2018-10-02
分類號 H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張連;張韻;閆建昌;王軍喜;李晉閩 申請（專利權(quán)）人 麗水中科半導(dǎo)體材料研究中心有限公司
代理機構(gòu) 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;麗水中科半導(dǎo)體材料研究中心有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)及其生長方法，該外延結(jié)構(gòu)沿外延生長方向依次包括：襯底、緩沖層、高阻層、溝道層和勢壘層，其中：緩沖層外延生長在襯底上；高阻層外延生長在緩沖層上，其中，高阻層為極化誘導(dǎo)摻雜；溝道層外延生長在高阻層上；勢壘層外延生長在溝道層上。本發(fā)明通過極化誘導(dǎo)摻雜實現(xiàn)無摻雜雜質(zhì)的高阻層，從而降低器件緩沖層漏電，緩解由于緩沖層摻雜而加劇的電流崩塌，實現(xiàn)提高器件擊穿電壓、改善器件動態(tài)導(dǎo)通電阻可靠性的目的。