一種具有極化誘導(dǎo)摻雜高阻層的GaN基HEMT結(jié)構(gòu)及生長(zhǎng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410505205.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104241352A 公開(kāi)（公告）日 2014-12-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN104241352A 申請(qǐng)公布日 2014-12-24
分類(lèi)號(hào) H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 張連;張韻;閆建昌;王軍喜;李晉閩 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 麗水中科半導(dǎo)體材料研究中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;麗水中科半導(dǎo)體材料研究中心有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基HEMT外延結(jié)構(gòu)及其生長(zhǎng)方法，該外延結(jié)構(gòu)沿外延生長(zhǎng)方向依次包括：襯底、緩沖層、高阻層、溝道層和勢(shì)壘層，其中：緩沖層外延生長(zhǎng)在襯底上；高阻層外延生長(zhǎng)在緩沖層上，其中，高阻層為極化誘導(dǎo)摻雜；溝道層外延生長(zhǎng)在高阻層上；勢(shì)壘層外延生長(zhǎng)在溝道層上。本發(fā)明通過(guò)極化誘導(dǎo)摻雜實(shí)現(xiàn)無(wú)摻雜雜質(zhì)的高阻層，從而降低器件緩沖層漏電，緩解由于緩沖層摻雜而加劇的電流崩塌，實(shí)現(xiàn)提高器件擊穿電壓、改善器件動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻可靠性的目的。