降低基區(qū)電阻率的GaN基HBT外延結(jié)構(gòu)及生長方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510309494.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104900689B 公開（公告）日 2019-05-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN104900689B 申請(qǐng)公布日 2019-05-17
分類號(hào) H01L29/737（2006.01）I; H01L29/10（2006.01）I; H01L29/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張連; 張韻; 王軍喜; 李晉閩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 麗水中科半導(dǎo)體材料研究中心有限公司
代理機(jī)構(gòu) 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所;麗水中科半導(dǎo)體材料研究中心有限公司
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種降低基區(qū)電阻率的GaN基HBT外延結(jié)構(gòu)及生長方法，其中降低基區(qū)電阻率的GaN基HBT外延結(jié)構(gòu)，其包括：一襯底；一n型集電區(qū)，其制作在襯底上；一p型組分漸變基區(qū)，其制作在n型集電區(qū)上；一n型發(fā)射區(qū)，其制作在p型基區(qū)上。本發(fā)明通過特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，使基區(qū)電阻率大大降低，從而提高器件性能。