用于功率MOS管的過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)電路、以及功率MOS管組件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011568334.0 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN112701663A 公開(公告)日 2021-04-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN112701663A 申請(qǐng)公布日 2021-04-23
分類號(hào) H02H7/20;H02H3/08;H02H1/00 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 夏釗;張旭;陳光勝 申請(qǐng)(專利權(quán))人 上海東軟載波微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 陸磊
地址 200235 上海市徐匯區(qū)龍漕路299號(hào)天華信息科技園2A樓5層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于功率MOS管的過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)電路、以及功率MOS管組件。過(guò)流檢測(cè)和保護(hù)電路包括電流采樣模塊和柵極控制模塊,電流采樣模塊適于采樣流過(guò)功率MOS管源極的電流;柵極控制模塊的輸入端耦接功率MOS管的源極、輸出端耦接功率MOS管的柵極而向功率MOS管提供柵極驅(qū)動(dòng)電壓,以使得電流不超過(guò)其電流閾值。使得流過(guò)功率MOS管的電流不會(huì)出現(xiàn)過(guò)流,且精確地計(jì)算出電流閾值而不存在電流閾值的偏差,從而可以避免由于該偏差所導(dǎo)致的對(duì)功率MOS管的提前保護(hù)或者保護(hù)失效。