一種高溫合金單晶葉片的鑄造方法及陶瓷型殼

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> 2020110222367 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112267151A 公開(kāi)(公告)日 2021-01-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN112267151A 申請(qǐng)公布日 2021-01-26
分類(lèi)號(hào) C30B29/52(2006.01)I; 分類(lèi) 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 馬德新;潘智平;徐維臺(tái);趙運(yùn)興;皮立波 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 深圳市深汕特別合作區(qū)萬(wàn)澤精密科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市華優(yōu)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 余薇
地址 518000廣東省深圳市福田保稅區(qū)紅柳道2號(hào)順豐工業(yè)城廠(chǎng)房整棟1樓A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種高溫合金單晶葉片的鑄造方法及陶瓷型殼,所述方法包括步驟:S1,制作帶有型芯的蠟?zāi)?,在所述型芯的斜下方向芯頭貼上網(wǎng)狀蠟?zāi)#乃鱿災(zāi)5膯尉Р课挥靡灄l斜著向上與所述網(wǎng)狀蠟?zāi)_B接;S2,通過(guò)沾漿淋砂、脫蠟和焙燒獲得陶瓷型殼,其中,所述斜下方向芯頭與所述陶瓷型殼之間形成網(wǎng)格狀間隙、以及連通至單晶部位的引晶通道;S3,將陶瓷型殼進(jìn)行高溫預(yù)熱;S4,進(jìn)行高溫合金的澆注和單晶定向凝固。本發(fā)明使得整個(gè)葉片保持為單晶,避免了因型殼變形形成芯頭間隙而引起的披縫和雜晶缺陷。??