一種高溫合金單晶葉片的鑄造方法及陶瓷型殼

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011022236.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112267151B 公開（公告）日 2022-01-11
申請公布號 CN112267151B 申請公布日 2022-01-11
分類號 C30B29/52（2006.01）I;C30B11/00（2006.01）I;B22C7/02（2006.01）I;B22C9/04（2006.01）I;B22C9/10（2006.01）I;B22C9/24（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 馬德新;潘智平;徐維臺;趙運興;皮立波 申請（專利權(quán)）人 深圳市深汕特別合作區(qū)萬澤精密科技有限公司
代理機構(gòu) 深圳市華優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 余薇
地址 518000廣東省深圳市福田保稅區(qū)紅柳道2號順豐工業(yè)城廠房整棟1樓A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高溫合金單晶葉片的鑄造方法及陶瓷型殼，所述方法包括步驟：S1，制作帶有型芯的蠟模，在所述型芯的斜下方向芯頭貼上網(wǎng)狀蠟模，并從所述蠟模的單晶部位用引晶蠟條斜著向上與所述網(wǎng)狀蠟模連接；S2，通過沾漿淋砂、脫蠟和焙燒獲得陶瓷型殼，其中，所述斜下方向芯頭與所述陶瓷型殼之間形成網(wǎng)格狀間隙、以及連通至單晶部位的引晶通道；S3，將陶瓷型殼進行高溫預熱；S4，進行高溫合金的澆注和單晶定向凝固。本發(fā)明使得整個葉片保持為單晶，避免了因型殼變形形成芯頭間隙而引起的披縫和雜晶缺陷。