一種硫化鉬-石墨烯異質(zhì)結(jié)光電導(dǎo)探測(cè)器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910831084.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN110690315A 公開(kāi)（公告）日 2020-01-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN110690315A 申請(qǐng)公布日 2020-01-14
分類(lèi)號(hào) H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 慕颯米;張少先;劉永;杜明;李俠 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州楓橋光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蘇州楓橋光電科技有限公司
地址 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)向街8號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種硫化鉬?石墨烯異質(zhì)結(jié)光電導(dǎo)探測(cè)器及其異質(zhì)結(jié)的制備方法，包括異質(zhì)結(jié)，所述異質(zhì)結(jié)包括設(shè)置在SiO2/Si襯底層上的MoS2層，所述MoS2層上設(shè)置有石墨烯層，所述石墨烯層上設(shè)置有若干個(gè)金屬電極。本發(fā)明提供了一種具有低成本、高響應(yīng)度的二維材料異質(zhì)結(jié)負(fù)光電導(dǎo)探測(cè)器及其制備方法；通過(guò)采用二維材料轉(zhuǎn)移技術(shù)，減少石墨烯/TMDC異質(zhì)結(jié)界面層雜質(zhì)問(wèn)題，提高石墨烯/TMDC光導(dǎo)型探測(cè)器的光電特性。