一種基于叉指型電極結(jié)構(gòu)的石墨烯光電探測(cè)器
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911110835.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN110854234A | 公開(kāi)(公告)日 | 2020-02-28 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110854234A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-02-28 |
分類號(hào) | H01L31/102;H01L31/0232;H01L31/0224 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張少先;劉永;慕颯米;杜明;李俠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州楓橋光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蘇州楓橋光電科技有限公司 |
地址 | 215000 江蘇省蘇州市高新區(qū)向街8號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種基于叉指型電極結(jié)構(gòu)的石墨烯光電探測(cè)器,所述光電探測(cè)器包括襯底層、以及設(shè)置在所述襯底層上的光波導(dǎo),所述光波導(dǎo)上設(shè)置有介質(zhì)隔離層,所述介質(zhì)隔離層上設(shè)置有兩片相互不接觸的金屬層,兩片所述金屬層作為電極;兩片所述金屬層上設(shè)置有石墨烯層,石墨烯層作為光吸收層。本發(fā)明提供了一種與CMOS工藝兼容,且具有高性能的基于叉指型電極石墨烯光電探測(cè)器。 |
