一種選擇性硅蝕刻液
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201911242534.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111019659A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-06-08 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111019659A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-06-08 |
分類號(hào) | C09K13/10 | 分類 | 染料;涂料;拋光劑;天然樹(shù)脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
發(fā)明人 | 李少平;郝曉斌;尹印;賀兆波;張庭;萬(wàn)楊陽(yáng);馮凱;王書(shū)萍;張演哲;蔡步林 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 湖北興福電子材料有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 宜昌市三峽專利事務(wù)所 | 代理人 | 成鋼 |
地址 | 443007 湖北省宜昌市猇亭區(qū)猇亭大道66-3號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明屬于集成電路電子化學(xué)品領(lǐng)域,具體涉及一種選擇性硅蝕刻液及使用方法。所述選擇性硅蝕刻液用于選擇性去除p型硅基底上的未摻雜硅,組成包括硝酸(或硝酸與硝酸鹽混合物)、亞硝酸鹽、氫氟酸或氫氟酸鹽、硅添加劑、硼添加劑及溶劑。該蝕刻液利用硝酸鹽和亞硝酸鹽將硅氧化成二氧化硅;利用氫氟酸將二氧化硅蝕刻去除;硅添加劑用以調(diào)節(jié)硅的蝕刻速率;硼添加劑抑制蝕刻液對(duì)p型硅的蝕刻,使蝕刻液對(duì)未摻雜硅相對(duì)于p型硅有更快的蝕刻速率。 |
