一種改善Lift-off工藝劃片道形貌的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811597810.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109686654B 公開(kāi)（公告）日 2021-11-26
申請(qǐng)公布號(hào) CN109686654B 申請(qǐng)公布日 2021-11-26
分類號(hào) H01L21/027;H01L21/28 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔣曉倩;高攀;李佐;馮華;李瀾濤;林宗芳;鐘偉;熊民權(quán);趙宗盛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海芯鈦信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 長(zhǎng)沙國(guó)科天河知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 邱軼
地址 200000 上海市崇明區(qū)長(zhǎng)興鎮(zhèn)潘園公路1800號(hào)3號(hào)樓14347室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)一種改善Lift?off工藝劃片道形貌的方法，包括：在襯底上形成有劃片道凹槽的面上涂負(fù)膠層；對(duì)負(fù)膠層曝光并顯影，形成完全覆蓋劃片道凹槽的負(fù)膠層；在襯底及負(fù)膠層上表面蒸發(fā)金屬膜；去除負(fù)膠層上的金屬膜及負(fù)膠層；形成透過(guò)金屬膜暴露于外界環(huán)境的劃片道凹槽。該方案解決了劃片道金屬膜層斷裂導(dǎo)致封裝成品率低的問(wèn)題，改善劃片道形貌，提高封裝成品率。