一種高溫氣冷堆吸收球表面涂層的制備方法及設(shè)備
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111328296.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114220561A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114220561A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類號(hào) | G21C7/10（2006.01）I;G21C21/18（2006.01）I;C23C16/32（2006.01）I;C23C16/442（2006.01）I | 分類 | 核物理；核工程; |
| 發(fā)明人 | 羅寶軍;汪景新;周勤;孫惠敏;張振魯;周振德 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 華能山東石島灣核電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 趙迪 |
| 地址 | 200126上海市中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)世博館路200號(hào)A座5層A508房間 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種高溫氣冷堆吸收球表面涂層的制備方法及設(shè)備，本發(fā)明方法包括如下步驟：1）、將吸收球顆粒通過(guò)加料口加入流化床反應(yīng)器中；2）、將三氯甲基硅烷置于蒸發(fā)器中，以氫氣為載氣將三氯甲基硅烷送入流化床反應(yīng)器，維持溫度1500?1550℃，氣相沉積1.5?2.5h，三氯甲基硅烷在流化床反應(yīng)器中裂解，后形成碳化硅，氣相沉積于吸收球顆粒上，形成致密的碳化硅保護(hù)層。本發(fā)明通過(guò)在吸收球碳化硼顆粒表面形成一層堅(jiān)固耐磨、致密的碳化硅涂層，形成光滑的小球，隔絕吸收球在運(yùn)行過(guò)程中產(chǎn)生粉塵，確保反應(yīng)堆的控制不受碳化硼粉塵的影響。 |
