晶圓表面介電層的制備方法、晶圓結構及凸塊的成型方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110735094.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113471061A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471061A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01L21/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 許冠猛 申請（專利權）人 頎中科技（蘇州）有限公司
代理機構 蘇州威世朋知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 胡彭年
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)鳳里街166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶圓表面介電層的制備方法、晶圓結構及凸塊的成型方法，所述制備方法包括如下步驟：提供晶圓；在晶圓的上表面形成對位標記，其中，對位標記為厚度不低于0.3μm的金屬塊；在形成對位標記后的晶圓的上表面形成一介電層。與現(xiàn)有技術相比，本申請優(yōu)化了晶圓介電層的制備工藝，在晶圓表面成型出介電層之前，預先在晶圓表面制備出對位標記。由于對位標記的厚度達0.3μm以上，具有較好的突出可見性，其在晶圓的后續(xù)工藝中能夠很好的被識別并被用于定位，有利于后續(xù)工藝的展開；有效避免了在介電層制備階段，因對位標記不可見而需返工的問題，保障了制程工藝的連續(xù)性，提高了生產(chǎn)效率，也節(jié)省了返工的人力物力成本。