一種成像探測器的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410243357.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN105261622A 公開（公告）日 2016-01-20
申請公布號(hào) CN105261622A 申請公布日 2016-01-20
分類號(hào) H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天倫;毛劍宏 申請（專利權(quán)）人 浙江玨芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;浙江玨芯微電子有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)上海張江高科技園區(qū)龍東大道3000號(hào)5號(hào)樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種成像探測器的制造方法，在所述基底上形成犧牲層；刻蝕所述犧牲層，形成暴露所述第一互連孔的通孔；利用鍺硅填充所述通孔形成第二互連孔；在所述犧牲層和第二互連孔上形成金屬層；在金屬層上形成第二介質(zhì)層；刻蝕去掉部分區(qū)域的第二介質(zhì)層和金屬層，使得相鄰的四個(gè)第二互連孔分別通過4根金屬線連接到所述反射層上方的位置，并且4根金屬線斷開，其中連接對角的兩個(gè)第二互連孔的金屬線延伸到反射層上方的位置暴露，連接另外對角的兩個(gè)第二互連孔的金屬線被第二介質(zhì)層覆蓋；利用氫氣和/或氮?dú)鈱饘賹颖砻孢M(jìn)行處理；在反射層所對應(yīng)的第二介質(zhì)層上形成熱敏電阻。