壓力傳感器和慣性傳感器及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310508730.8 申請日 -
公開（公告）號 CN103708409B 公開（公告）日 2015-10-07
申請公布號 CN103708409B 申請公布日 2015-10-07
分類號 B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術〔7〕;
發(fā)明人 毛劍宏 申請（專利權）人 浙江玨芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 張家港麗恒光微電子科技有限公司;上海麗恒光微電子科技有限公司;麗水玨意芯誠電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）;浙江玨芯微電子有限公司
地址 215612 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村張家港麗恒光微電子科技有限公司
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種壓力傳感器和慣性傳感器及其形成方法，形成方法包括：提供具有CMOS控制電路的襯底，襯底包括第一區(qū)和第二區(qū)；在第一區(qū)上形成第一犧牲層，在第二區(qū)上形成第二犧牲層；形成頂部電極和第一電極；在頂部電極中形成第一開口，通過第一開口去除第一犧牲層；在頂部電極和第一電極上形成質(zhì)量層；質(zhì)量層的材料選用與CMOS控制電路形成工藝兼容的材料；在頂部電極上的質(zhì)量層中形成第二開口，形成電容的兩相對極板、與質(zhì)量塊連接的彈性件，第二開口包圍的部分頂部電極作為壓力感應區(qū)。本發(fā)明可以將壓力傳感器和慣性傳感器在同一工藝中形成、而且和CMOS工藝兼容。