制作MEMS慣性傳感器的方法及MEMS慣性傳感器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210126539.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103373698B 公開(kāi)（公告）日 2015-09-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN103373698B 申請(qǐng)公布日 2015-09-16
分類(lèi)號(hào) B81C1/00(2006.01)I;G01D5/241(2006.01)I 分類(lèi) 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 王志瑋;唐德明;張鐳;毛劍宏;韓鳳芹 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 浙江玨芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 張家港市高松專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張家港麗恒光微電子科技有限公司;上海麗恒光微電子科技有限公司;麗水玨意芯誠(chéng)電子科技合伙企業(yè)（有限合伙）;浙江玨芯微電子有限公司
地址 215613 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種制作MEMS慣性傳感器的方法及MEMS慣性傳感器，包括步驟：在半導(dǎo)體基底上淀積第一碳層作為犧牲層；圖案化第一碳層，形成固定錨栓，慣性錨栓和底部密封環(huán)；形成固定錨栓中的接觸插塞和慣性錨栓中的接觸插塞；在所述第一碳層和固定錨栓、慣性錨栓上形成第一固定電極、慣性電極以及與慣性電極相連的連接電極，所述第一固定電極和慣性電極構(gòu)成一對(duì)電容；在所述第一固定電極和慣性電極上形成第二碳層作為覆蓋層；在所述第二碳層和頂部密封環(huán)上形成頂蓋層。本發(fā)明的慣性傳感器在慣性力的作用下只有慣性電極移動(dòng)，固定電極不會(huì)移動(dòng)和震動(dòng)，從而提高了慣性傳感器的精確度。