半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210425466.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102923636B 公開（公告）日 2015-11-25
申請公布號 CN102923636B 申請公布日 2015-11-25
分類號 B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕;
發(fā)明人 毛劍宏;韓鳳芹;唐德明 申請（專利權(quán)）人 浙江玨芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;浙江玨芯微電子有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法。本發(fā)明所提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括基底和形成于所述基底上的介質(zhì)層，所述介質(zhì)層包含位于第一區(qū)域的第一介質(zhì)及位于第二區(qū)域的第二介質(zhì)，所述第一介質(zhì)包圍所述第二介質(zhì)并與所述第二介質(zhì)相接而形成相接界面，所述第一介質(zhì)和/或所述第二介質(zhì)內(nèi)形成有保護(hù)帶。由于在介質(zhì)內(nèi)形成有保護(hù)帶，保護(hù)帶可釋放和消除介質(zhì)在相接界面附近的應(yīng)力，防止第一介質(zhì)與第二介質(zhì)在相接界面處出現(xiàn)剝離、破裂或者斷裂的現(xiàn)象，解決了上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的MEMS組件因出現(xiàn)上述現(xiàn)象而壞掉的問題。