一種成像探測器的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410243357.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105261622B 公開（公告）日 2017-12-22
申請公布號 CN105261622B 申請公布日 2017-12-22
分類號 H01L27/146(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天倫;毛劍宏 申請（專利權）人 浙江玨芯微電子有限公司
代理機構 上海思微知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;浙江玨芯微電子有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)上海市張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種成像探測器的制造方法，在所述基底上形成犧牲層；刻蝕所述犧牲層，形成暴露所述第一互連孔的通孔；利用鍺硅填充所述通孔形成第二互連孔；在所述犧牲層和第二互連孔上形成金屬層；在金屬層上形成第二介質層；刻蝕去掉部分區(qū)域的第二介質層和金屬層，使得相鄰的四個第二互連孔分別通過4根金屬線連接到所述反射層上方的位置，并且4根金屬線斷開，其中連接對角的兩個第二互連孔的金屬線延伸到反射層上方的位置暴露，連接另外對角的兩個第二互連孔的金屬線被第二介質層覆蓋；利用氫氣和/或氮氣對金屬層表面進行處理；在反射層所對應的第二介質層上形成熱敏電阻。