成像探測器及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410243348.3 申請日 -
公開（公告）號 CN105226130B 公開（公告）日 2017-03-29
申請公布號 CN105226130B 申請公布日 2017-03-29
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊天倫;毛劍宏 申請（專利權）人 浙江玨芯微電子有限公司
代理機構 上海思微知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;浙江玨芯微電子有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)上海市張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種成像探測器的制造方法，包括：刻蝕基底上的犧牲層，形成暴露所述第一互連孔的通孔；利用導電材料填充所述通孔形成第二互連孔；形成金屬層；在金屬層上形成第二介質層；利用干法刻蝕去掉部分區(qū)域的第二介質層和金屬層，使得相鄰的四個第二互連孔分別通過4根金屬線和其上的第二介質層連接到所述反射層上方的位置，連接另外對角的兩個第二互連孔的金屬線被第二介質層覆蓋；并且所述的干法刻蝕不含有灰化制程,在反射層所對應的第二介質層上形成熱敏電阻，所述熱敏電阻覆蓋延伸到反射層上方的暴露的金屬線,對干法刻蝕進行了改造，去除了其中的灰化工藝，利用對氮化硅材料刻蝕的刻蝕工藝，在同一步驟中實現(xiàn)對氮化硅和金屬層的刻蝕。