一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及一種半導(dǎo)體封裝的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010008319.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111162013B 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN111162013B 申請公布日 2021-08-24
分類號 H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張正 申請（專利權(quán)）人 億芯微半導(dǎo)體科技（深圳）有限公司
代理機構(gòu) 北京貴都專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 李新鋒
地址 518000 廣東省深圳市坪山區(qū)坑梓街道秀新社區(qū)景強路6號101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，該方法包括以下步驟：提供一承載基板，在所述承載基板的上表面形成一粘結(jié)層；接著在所述承載基板的上表面形成第一鈍化層；接著在所述第一鈍化層上形成第一介質(zhì)層、第一金屬線路層、第二介質(zhì)層、第二金屬線路層、第三介質(zhì)層以及第二鈍化層，接著在暴露的所述第二金屬線路層上形成焊料柱，接著將半導(dǎo)體芯片安裝到所述焊料柱上，然后利用第二激光照射所述焊料柱，以在所述焊料柱的表面形成多個微凹孔；接著形成模塑料，接著除去所述粘結(jié)層和所述承載基板，在所述第一鈍化層的暴露的表面上形成阻焊層，接著在所述第一鈍化層和所述阻焊層中形成第二開孔，接著在所述第二開孔中形成焊球。