一種傳感器單晶硅刻蝕質(zhì)量監(jiān)測方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210140588.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114481333A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114481333A 申請公布日 2022-05-13
分類號 C30B33/12（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 奎建明 申請（專利權(quán)）人 淮安納微傳感器有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江蘇長德知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 223000江蘇省淮安市淮陰區(qū)（工業(yè)園區(qū)）南昌路605號三層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種傳感器單晶硅刻蝕質(zhì)量監(jiān)測方法，屬于傳感器生產(chǎn)領(lǐng)域。方法包括：根據(jù)歷史時間段內(nèi)預(yù)設(shè)時間間隔的刻蝕片架角位移序列和單晶硅受離子轟擊壓力序列計算得到刻蝕質(zhì)量第一指標(biāo)；根據(jù)歷史時間段內(nèi)預(yù)設(shè)時間間隔的刻蝕片架角位移序列、刻蝕片架旋轉(zhuǎn)保持趨勢序列和排氣流量序列計算得到刻蝕質(zhì)量第二指標(biāo)；根據(jù)刻蝕質(zhì)量第一指標(biāo)和刻蝕質(zhì)量第二指標(biāo)計算刻蝕質(zhì)量綜合指標(biāo)；根據(jù)歷史時間段內(nèi)每天的刻蝕質(zhì)量綜合指標(biāo)預(yù)測未來目標(biāo)時刻的刻蝕質(zhì)量綜合指標(biāo)，若未來目標(biāo)時刻的刻蝕質(zhì)量綜合指標(biāo)小于質(zhì)量閾值，則對刻蝕加工過程進(jìn)行調(diào)整。本發(fā)明能夠?qū)崿F(xiàn)對刻蝕質(zhì)量的預(yù)測，以在預(yù)測出的刻蝕質(zhì)量不能夠滿足要求時及時調(diào)整刻蝕加工過程。