高對(duì)比度光柵垂直腔面發(fā)射激光器及制造方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010047048.3 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111211488A | 公開(公告)日 | 2020-05-29 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111211488A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-29 |
分類號(hào) | H01S5/183 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 沈志強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 浙江博升光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 郭棟梁 |
地址 | 314116 浙江省嘉興市嘉善縣魏塘街道振源路99號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種高對(duì)比度光柵垂直腔面發(fā)射激光器及制造方法,高對(duì)比度光柵垂直腔面發(fā)射激光器,包括:層疊設(shè)置的第一反射器層、有源層及第二反射器層;所述第二反射器層包括氧化物隔離層和光柵層,所述氧化物隔離層位于所述光柵層和所述有源層之間,所述光柵層至少部分區(qū)域設(shè)置有光柵,所述光柵的柵槽延伸至所述氧化物隔離層,所述氧化物隔離層設(shè)置有第一氧化區(qū)域,所述第一氧化區(qū)域支撐所述光柵,所述第一氧化區(qū)域的折射率小于所述光柵的折射率。上述方案,第一氧化區(qū)域?qū)鈻胚M(jìn)行支撐,而并非如現(xiàn)有技術(shù)中的光柵懸浮于凹槽上,因此光柵不易于被損壞,另外,由于第一氧化區(qū)域的支撐作用,光柵可以采用條狀、網(wǎng)狀、柱狀等結(jié)構(gòu)。 |
