底部發(fā)射垂直腔面發(fā)射激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911365489.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111162451A 公開（公告）日 2020-05-15
申請公布號 CN111162451A 申請公布日 2020-05-15
分類號 H01S5/183;H01S5/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈志強 申請（專利權(quán)）人 浙江博升光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 郭棟梁
地址 314116 浙江省嘉興市嘉善縣魏塘街道振源路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種底部發(fā)射垂直腔面發(fā)射激光器，至少一個發(fā)光單元，所述發(fā)光單元包括層疊設(shè)置的襯底、第一反射器層、有源層、氧化層、第二反射器層及頂部電極，所述氧化層具有限定激光出射窗口的非氧化區(qū)，所述襯底上形成有用于改變所述激光出射窗口所出射激光光路的光學(xué)結(jié)構(gòu)。上述方案，一方面由于襯底是在整個VCSEL中占據(jù)最大體積的部件，在其上直接集成光學(xué)結(jié)構(gòu)，相較于在VCSEL外部設(shè)置光學(xué)結(jié)構(gòu)，能夠顯著降低其整體尺寸；另一方面，在襯底上集成光學(xué)結(jié)構(gòu)，可以是在VCSEL的制作工藝中一并完成，相較于在VCSEL外部設(shè)置光學(xué)結(jié)構(gòu)，不需要在VCSEL制作完成后，在通過單獨的工藝在VCSEL的出光側(cè)設(shè)置光學(xué)結(jié)構(gòu)，因此簡化了工藝流程，降低成本。