光學(xué)芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010372423.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111711068A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111711068A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01S5/026(2006.01)I;H01S5/183(2006.01)I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 沈志強(qiáng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 浙江博升光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 郭棟梁 |
| 地址 | 314116浙江省嘉興市嘉善縣魏塘街道振源路99號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開(kāi)了一種光學(xué)芯片，包括基底，所述基底上形成有第一外延結(jié)構(gòu)層，所述第一外延結(jié)構(gòu)層包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域用于形成第一光學(xué)元件，所述第二區(qū)域上形成有刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層上形成有第二外延結(jié)構(gòu)層，所述第二外延結(jié)構(gòu)層用于形成第二光學(xué)元件，所述第一光學(xué)元件與所述第二光學(xué)元件電氣隔離，所述第一光學(xué)元件和所述第二光學(xué)元件中的其中一個(gè)為垂直腔面發(fā)射激光器，另一個(gè)為光探測(cè)器。上述方案，在同一基底上集成了垂直腔面發(fā)射激光器和光探測(cè)器，提高了集成化，有利于使用其的系統(tǒng)做到更進(jìn)一步的小型化。?? |
