一種P-GaN增強型HEMT器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010465882.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111564490B 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN111564490B 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳勇;陸俊;王東;陳興;汪瓊;葛林男;嚴(yán)偉偉;何滇;曾文秀;王俊杰;操焰;崔傲;袁珂;陳軍飛;張進(jìn)成 申請（專利權(quán)）人 西安電子科技大學(xué)蕪湖研究院
代理機構(gòu) 蕪湖思誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 241000安徽省蕪湖市弋江區(qū)文津西路8號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種P?GaN增強型HEMT器件及其制備方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，包括從下至上依次層疊設(shè)置的襯底、ALN成核層、ALGaN緩沖層、GaN溝道層、ALN插入層、ALGaN勢壘層、低溫飽和P型GaN、P?GaN、鈍化層、源極（110）、漏極、柵極。在P?GaN層和勢壘層之間生長一層低溫飽和P型GaN（LTPGaN層），該層的生長阻止了P?GaN層的mg擴散至溝道層，從而降低器件的導(dǎo)通電阻，提升HEMT器件的工作效率。